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新增8個產品，為逆變器的大容量、小型化做貢獻
擴大 “X系列HVIGBT模塊” 產品陣容
 
三菱電機株式會社將自9月起陸續發售“X系列HVIGBT※1模塊”8個產品（包含電壓等級3.3kV、4.5kV、和6.5kV）。此次發售的產品是功率半導體模塊的新產品，主要用于需要高耐壓、大電流、高可靠性的鐵路牽引、電力傳輸、大型工業設備等領域。本產品將在“TECHNO-FRonTIER 2017 -MOTORTECH JAPAN-”（4月19-21日本幕張舉行）“PCIM※1 Europe 2017”（5月16-18日于德國紐倫堡舉行）以及“PCIM※1 Asia 2017”（6月27-29日于中國上海舉行）上展出。
※1　High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor：高壓絕緣柵型雙極晶體管 
 


X系列HVIGBT模塊 
 
新產品的特點
1．實現行業頂級水平的額定電流，為逆變器的大容量化做貢獻
·在“X系列”中增加3.3kV級（1200A/1800A）、4.5kV級（900A/1350A/1500A）、6.5kV級（600A/900A）共計8個產品
·3.3kV、4.5kV級實現了行業頂級水平※2的額定電流1800A、1500A，可實現更大容量的逆變器
※2　截至2017年4月5日，根據本公司的調查
2．應用第7代IGBT和RFC二極管，為逆變器的小型化做貢獻
?采用三菱CSTBTTM※3結構的第7代IGBT和RFC二極管※4 硅片技術，與以往產品相比※5，功率損耗降低
約20％
·與具有相同耐壓和額定電流的以往產品※5相比，外形尺寸大約縮小33%，可為逆變器的小型化做貢獻
·全系列產品實現了150℃的工作保證溫度，因此可以簡化逆變器冷卻系統設計，有利于逆變器的小型化
※3　載流子存儲式溝槽柵型雙極晶體管
※4　Relaxed Field of Cathode：本公司獨有二極管，提高了陰極側電子遷移率
※5　X系列CM1200HC-66X與H系列CM1200HC-66H的比較
3．通過優化封裝結構，為提高逆變器的可靠性做貢獻
·通過優化封裝內部結構，提高散熱性、耐濕性、阻燃性，延長產品壽命